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    VB60100C-E3/8W

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

    文件:149.29 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

    VISHAYVishay Siliconix

    威世威世科技公司

    VB60100C-E3/8W

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A

    文件:150.74 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

    VISHAYVishay Siliconix

    威世威世科技公司

    VB60100C-E3/8W

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

    文件:146.76 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

    VISHAYVishay Siliconix

    威世威世科技公司

    VB60100C-E3/8W

    Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號(hào):

      VB60100C-E3/8W

    • 制造商:

      Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

    • 系列:

      TMBS?

    • 包裝:

      卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

    • 二極管配置:

      1 對(duì)共陰極

    • 二極管類型:

      肖特基

    • 電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):

      30A

    • 速度:

      快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

    • 工作溫度 - 結(jié):

      -40°C ~ 150°C

    • 安裝類型:

      表面貼裝型

    • 封裝/外殼:

      TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-263AB(D2PAK)

    • 描述:

      DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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    更多VB60100C-E3/8W供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-18 13:00:00

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